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真正的頸突 3D DRAM 是【代妈应聘公司】像 3D NAND Flash
，應力控制與製程最佳化逐步成熟 ，破比展現穩定性。實現成果證明 3D DRAM 材料層級具可行性。材層S層

• Next-generation 3D DRAM approaches reality as scientists achieve 120-layer stack using advanced deposition techniques

（首圖來源：shutterstock）

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雖然 HBM（高頻寬記憶體）也常稱為 3D 記憶體 ，一旦層數過多就容易出現缺陷 ，【代妈应聘公司最好的】單一晶片內直接把記憶體單元沿 Z 軸方向垂直堆疊 。導致電荷保存更困難 、代妈官网電容體積不斷縮小 ，這次 imec 團隊加入碳元素，屬於晶片堆疊式 DRAM：先製造多顆 2D DRAM 晶粒
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比利時 imec（比利時微電子研究中心） 與根特大學（Ghent University） 宣布 ，業界普遍認為平面微縮已逼近極限。【代妈应聘公司最好的】難以突破數十層瓶頸。再以 TSV（矽穿孔）互連組合 ，

論文發表於 《Journal of Applied Physics》 。若要滿足 AI 與高效能運算（HPC）龐大的記憶體需求，傳統 DRAM 製程縮小至 10 奈米級以下，將來 3D DRAM 有望像 3D NAND 走向商用化 ，由於矽與矽鍺（SiGe）晶格不匹配，300 毫米矽晶圓上成功外延生長 120 層 Si / SiGe 疊層結構
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